что такое излучательная рекомбинация

 

 

 

 

Излучательная (межзонная) рекомбинация. Механизм излучательной рекомбинации доминирует в прямозонных полупроводниках. Самый яркий пример использования излучательной рекомбинации в полупроводниковых устройствах - свет Выделяющаяся за счёт рекомбинации энергия уносится но нескольким путям: 1. Излучательная рекомбинация (ИР).Для больших уровней инфекции в т.ч. и оптической интенсивное рекомбинационное излучение может наблюдаться и у широкозонных Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка. Январь 5, 2007, Категория: Справочная информация Оставить комментарий. Независимо от того, является полупроводник легированным или нет, в нем всегда присутствуют оба типа свободных носителей Смотреть что такое "рекомбинация излучательная" в других словарях: РЕКОМБИНАЦИЯ — (от лат. re снова, опять и позднелат. combinatio соединение), 1) Р. ион электронная, элем. акт воссоединения положит. иона (с зарядом Z1) и свободного эл на Излучательная рекомбинация это аннигиляция электрона и дырки с излучением кванта света, кванта энергии близкой к ширине запрещенной зоны полупроводникового материала. 1. Рекомбинация называется излучательной, или фотонной, если энергия рекомбинирующих частиц выделяется в виде энергии фотона. 2. Если энергия частицы передаётся решетке (фононам) , то рекомбинация называется безизлучательной, или фононной. При излучательной рекомбинации энергия выделяется в виде фотонов, при этом может происходить свечение кристалла. Сечение рекомбинации такого типа невелико и составляет приблизительно 10-21 см2.

Мы будем в основном рассматривать рекомбинационную люминесценцию.времена жизни. 3. Межзонная излучательная рекомбинация, формула Шокли-Ван-Русбрека. В зависимости от того, как расходуется энергия, освобождающаяся при рекомбинации электрона и дырки, рекомбинацию можно подразделить на два вида: излучательную, безызлучательную. Излучательной рекомбинацией называют рекомбинацию Излучательная рекомбинация. Рассмотрим характер излучательных переходов, основываясь на классической работе Эйнштейна, который еще в 1917 г. ввел понятие о спонтанных и индуцированных переходах. Излучательная межзонная рекомбинация играет важную роль в широкозонных полупроводниках с прямыми зонами, когда переходы между зонами происходят без изменения волнового вектора . На основе полученных данных о рекомбинационном свечении щелочно-галоидных кристаллофосфоров казалось вполне естественнымСамое последнее и полное исследование излучательной рекомбинации атомов хлора выполнено Клайном и Стедманом [128, 129]. Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону 4.1 ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ.

Значительные по своей актуальности перспективы возникли в той области физики полупроводников, которая изучает излучательную рекомбинацию электронов и дырок. Излучательная рекомбинация в германии была подробно изучена в работах Гаинса [ 71, с. [5]. Излучательная рекомбинация , однако, является в них не единственным возможным механизмом рекомбинации. Механизм излучательной рекомбинации в p-n-переходах. Физика полупроводниковых светоизлучающих диодов.Так как в p-области имеется большая концентрация дырок, то перешедшие электроны рекомбинируют с дырками. 4 Излучательная рекомбинация зона-примесь (или примесь зона) рекомбинация свободного носителя заряда с носителем противоположного знака, захваченным примесным центром Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу времени в.Энергия может выделяться либо в виде фотона1 (излучательная рекомбинация), либо в виде фонона2. Краткий словарь к статье. Излучательная рекомбинация — процесс, при котором электрон из зоны проводимости, теряя энергию, перескакивает в валентную зону, где соединяется с дыркой потерянная им энергия высвечивается в виде кванта электромагнитного излучения. Излучательная рекомбинация за счет прямых излучательных переходов зона зона осуществляется в прямозонных полупроводниках (например, GaAs, InAs, InSb, GaSb). Рекомбинация - электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости - дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения ( излучательная Р После локализации частиц на "тяжелом" центре их излучательная рекомбинация происходит также, как в прямозонном полупроводнике при этом импульс передается центру.Это связано с инерционностью процессов возникновения и гашения рекомбинационной люминесценции. ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В. С. Вавилов 1. ВВЕДЕНИЕ. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках является од-ним из важнейших физических процессов III Рекомбинация. электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости — дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения ( излучательная Р Обсуждаются основные процессы генерации-рекомбинации носителей заряда в структурах на основе тройного соединения CdHgTe: объемные процессы ( излучательная и безизлучательная рекомбинация) и процессы, происходящие на поверхности. При межзонной излучательной рекомбинации электрон из зоны проводимости переходит в валентную зону, при этом излучается фотон, энергия которого равна или несколько больше ширины запрещенной зоны Излучательная рекомбинация наблюдается при прямых (вертикальных) межзонных переходах, происходящих с излучением фотона без изменения волнового числа электрона kР/ , как изображено на рис. 2.6, б Излучательная рекомбинация — единственный физический механизм генерации света в светоизлучающих диодах. Механизмы излучательной рекомбинации подробно рассмотрены в [21] и др. 5 Межпримесная излучательная рекомбинация рекомбинация носителей заряда противоположного знака, захваченных двумя различными, пространственно разделенными центрами Последнее связано с тем, что излучательная рекомбинация в трапецеидальной сверхрешетке определяется оптическими туннельными переходами электронов из состояний вблизи дна ям n-типа в состояния вблизи дна ям p-типа. Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии. А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев, И.О. Соколовский. Рекомбинация с участием рекомбинационных ловушек или рекомбинация Шокли-Холла-Рида протекает в два этапа.Излучательной рекомбинацией называют рекомбинацию, при которой энергия, освобождающаяся при переходе электрона на более низкий энергетический Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости — дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии. может выделяться в виде излучения ( излучательная Р Полезной компонентной тока, поддерживающей излучательную рекомбинацию в активной области диода, является ток электронов In (рис.2.2,а), инжектируемых р - n-переходом. Однако излучательная рекомбинация может быть очень эффективным процессом в прямозонном полупроводнике, и люминесценция (испускание рекомбинационного излучения) для некоторых пря- мозонных полупроводников может быть достаточно сильной. 2) рекомбинация через локализованные состояния или рекомбинационные ловушки, расположенные в запрещённой зоне (см. 4.5).1) излучательная рекомбинация, когда освобождающаяся энергия излучается в виде кванта света Различают безизлучательную и излучательную рекомбинацию (см. «Введение» п.2). Излучательная рекомбинация, в свою очередь, делится на спонтанную (самопроизвольную) и индуцированную (вынужденную). Рекомбинация (физика полупроводников). Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: межзонная — непосредственный переход Как показывают исследования, излучательная рекомбинация играет относительно малую роль в реальных полупроводниках, за исключением полупроводников с малой шириной запрещенной зоны и с прямыми межзонными переходами. Зонные диаграммы, иллюстрирующие разные типы люминесценции: а — безызлучательная рекомбинация через примесные центры, б —безызлуча- тельная Оже-рекомбинация, в — излучательная рекомбинация. Электрон и дырка рекомбинируют, а освободившаяся энергия и импульс передаются третьему носителю.

Возможные переходы электрона при рекомбинации Оже (а также при излучательной рекомбинации) показаны на рис. 45, а. Энергия, освободившаяся при Если полупроводники, образующие p-N-гетеропереход, прямозонные и граница их соединения достаточно хорошая (т.е. отсутствуют примесные атомы и дефекты), то в активной зоне в основном происходит излучательная рекомбинация. За скорость рекомбинации принимают число рекомбинирующих пар носителей в единицу времени n/n (где n - концентрация неравновесных носителейВ соответствии с этим говорят об излучательной и безызлучательной рекомбинации. Излучательная рекомбинация. 1. Рекомбинация называется излучательной, или фотонной, если энергия рекомбинирующих частиц выделяется в виде энергии фотона. 2. Если энергия частицы передаётся решетке (фононам) , то рекомбинация называется безизлучательной, или фононной. Вместо того чтобы непосредственно рекомбинировать с дыркой, электрон может сначала образовать с дыркой экситон (см. разд.9.2. Излучательная рекомбинация Рассмотрим сначала излучательную рекомбинацию. Оказалось, однако, что прежде, чем реализуется такая излучательная рекомбинация, электроны и дырки успевают образовать экситоны - связанные состояния электронов и дырок Основные закономерности излучательной рекомбинации носителей заряда определяются законами сохранения энергии и импульса, поэтому энергия квантов люминесценции может соответствовать разнице энергетических уровней электрона до и после соответствующего Излучательная рекомбинация лежит в базе работы светодиодов, некоторых типов лазеров.Процесс рекомбинации характеризуют скоростью рекомбинации или R, .. числом пар носителей, рекомбинирующих в единице объёма за единицу времени. Различают излучательную и безызлучатель-ную Р. Первая сопровождается излучением светового кванта с энергией (см. Рекомбинационное излучение).Рис. 1. Излучательная рекомбинация зона - зона в прямо-зонном полупроводнике. Поскольку от плоскости инжекции неравновесные носители распространяются на расстояние, равное диффузионной длине, то и излучательная рекомбинация, т.е. генерация квантов света, будет происходить только в этой области.

Свежие записи: